产品世界

--我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

5X系列欧版智能磨粉机

全稀油润滑系统锥齿轮整体传动系统

CM欧式粗粉磨机

破碎式磨粉机成品粒度均匀投资低易管理维修快使用久

LM立式辊磨机

磨辊轴稀油润滑制粉与烘干二合一

LUM超细立式磨粉机

料层粉磨原理+多轮选粉原理

MTW系列欧版磨粉机(专利产品)

锥齿轮整体传动内部稀油润滑系统

MW环辊微粉磨

集成度高费用低功耗低更节能磨耗小成品质优优化工作模式

T130X超细磨

品质优良、性能稳定、运行可靠

超压梯形磨粉机

梯形工作面柔性连接磨辊联动增压

高压悬辊磨粉机

高压弹簧装置重叠多级密封粒度范围广恒定碾压力

雷蒙磨粉机（R摆式磨粉机）

自成体系铸件精良性能稳定无人作业

球磨机

应用广泛维护方便性价比高

产品系列完备，打通粗碎、中碎、细碎和超细碎作业

C6X系列颚式破碎机

可拆装无焊接结构机架双楔块调整装置

CI5X系列反击式破碎机

高精度转子多功能全液压操作系统

CS弹簧圆锥破碎机

层压破碎高摆频优化腔型

HGT旋回式破碎机

高破碎能力长使用周期简单易操作自动化控制

HJ系列颚式破碎机

低投入、高产出、低消耗、高效率

HPT液压圆锥破碎机

效率高产量高品质高更稳定

HST单缸液压圆锥破碎机

层压破碎成品粒型好全自动控制系统

PEW欧版颚式破碎机

整体铸钢轴承座承载能力和可靠性高

PE颚式破碎机

优化型深腔破碎破碎能力强

PFW欧版反击式破碎机

重型转子整体式铸钢轴承座稳定可靠

PF反击式破碎机

破碎功能全生产效率高

PY弹簧圆锥破碎机

成品粒度均匀干油和水两种密封方式

K3系列轮式移动生产线

处理能力强大，日产饱满全系车载电控系统

McCloskey履带破碎筛分设备

液压控制品牌部件节能降耗创新设计

NK系列移动站

为客户提供系统、灵活的模块化解决方案

粗碎移动破碎站

破碎比大有效可靠

VSI家族与VU骨料优化系统共担精品机制砂制备重任

独立工作的组合移动站

九种配置颚式破碎机和六种反击式破碎机，成品粒形好

履带式移动破碎站

全液压驱动功能齐全转场灵活

三组合移动站

既可独立完成客户生产石料的需求，也可作联机作业的粗破使用

四组合移动站

根据粗碎、中碎、细碎的需要独立组合，经济适用

细碎洗砂移动站

两台配备VSI系列和5X系列反击式破碎机和四台高性能细腔圆锥破碎机

细碎整形筛分移动站

是人工制砂、石料整形领域的理想设备，可使破碎产品的级配合理

中细碎筛分移动站

配备大容量、稳定可靠的液压圆锥破碎机

5X系列离心冲击式破碎机

兼具整形与破碎磨损率低利用率高

VSI6X系列立轴冲击式破碎机

四口叶轮设计特殊密封防漏油工艺

VSI制砂机（冲击式破碎机）

一机多用稀油润滑自循环系统

VUS砂石同出系统

砂粒饱满圆润可调控效率高环保指标达标自动化程度高

VU骨料优化系统

浑然天成的干法制砂工艺

XSD系列洗砂机

处理量大洗净率高故障率低可靠耐用

应用领域

石灰石
脱硫制备

01

混凝土
矿粉加工

02

矿物
磨粉加工

03

重质碳酸钙
石灰粉磨

04

清洁
煤粉制备

05

精品物料

碳化硅环是怎样做成的

2022-08-19T04:08:16+00:00

第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎

2021年6月11日根据掺杂类型的不同，分为 n 型掺杂外延片和 p 型掺杂外延片。国内位于厦门的瀚天天成电子科技有限公司和位于东莞的天域半导体科技有限公司等生产厂家目 2020年3月31日碳化硅密封环的特点 1可塑性—碳化硅材料只要具有一定的工艺，那么可以压制成各种形状的毛坯，并且可以再进行第二次加工，塑造成客户需要的产品。 2耐腐蚀性—碳化硅密封环可以在酸碱环境下使什么是碳化硅机械密封环碳化硅密封环的优点及规格

一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社

2022年12月1日全站当前频道文章行业动态详情一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺发布时间：来源：罗姆半导体社区 (https://rohmeefocus) 标签：罗姆 ROHM SiC 分享到：半导体产业 2022年3月2日聚焦环在半导体产业中，主要用于硅片蚀刻工艺，除了能固定硅片之外，也有维持电浆体密度、防止硅片遭污染等功用，固体碳化硅主要应用在刻蚀机的聚焦环、碳化硅应用在刻蚀机的聚焦环知乎

碳化硅百度百科

2023年5月4日碳化硅百度百科碳化硅 [ tàn huà guī] 播报锁定讨论上传视频一种无机物收藏 0 0 本词条由中国科学院化学研究所、中国科学院大学化学科学学院参与编辑并审核，经科普中国科学百科认证。碳化 2019年6月4日碳化硅密封环是使用碳化硅材料生产的一种碳化硅制品。那么碳化硅的主要应用和密封环的特性是什么? 下面让元丰磨料耐材的小编为大家详细介绍一下! 碳化硅的碳化硅的主要应用和密封环的特性，你造吗材料

SiC碳化硅器件制造那些事儿电子工程专辑

2022年11月2日碳化硅器件制造的工艺流程碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。而碳化硅材料的特 2008年6月1日碳化硅：新的催化剂载体材料从 2001 年开始，我们组开始致力于高比表面积碳化硅及其在多相催化中的应用，已经能通过溶胶凝胶过程制备出比表面积大于 100 平方米每克的多孔碳化硅。由于制备这种碳化硅比较难，所以一定要为它找一个对催化剂要求比科学网—碳化硅：新的催化剂载体材料郭向云的博文

工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

2020年12月8日 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等 2021年7月14日反应烧结的碳化硅密封环可以在1300度使用，而无压烧结的碳化硅密封环则可以到达1600度。碳化硅密封环制造工艺主要为：原料处理成型烧结磨削与研磨组装。详细制造流程如下： 1原料处理工艺：不同球磨时间和料球比的的SiC原料的比表面测定如何制造碳化硅密封环 CERADIR 先进陶瓷在线

碳化硅陶瓷百度百科

SiC陶瓷不仅具有优良的常温力学性能，如高的抗弯强度、优良的抗氧化性、良好的耐腐蚀性、高的抗磨损以及低的摩擦系数，而且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中最佳的。热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料，其高温强度可一直维持到1600℃，是陶瓷材料中高温强度最好的 2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物碳化硅百度百科

关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅

2022年8月29日人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长 2019年2月22日 2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内较大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳晶体材料有限公司开发建设，总投资30亿元，项目分国内第三代半导体厂商（碳化硅）知乎

碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？知乎

2022年7月10日碳化硅，是一种宽带隙技术。与传统的硅基器件相比，SiC的击穿场强是硅基器件的10倍，导热系数是硅基器件的3倍，是电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机等高压应用的理想材料。目前在全部三代半导体材料中，虽然代半导体材料里锗最先被 2023年3月28日碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节，其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节中的重点与难点，成为限制碳化硅良率与产能提升的碳化硅衬底市场群雄逐鹿碳化硅衬底制备环节流程知乎

半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造；知乎

2023年12月1日从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异（1）离子注入是最重要的工艺。硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。因为碳硅结合力较强 2020年12月2日碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。我国SiC外延材料研发工作开发于“ 技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

碳化硅陶瓷性能如何?有哪些制作工艺? 知乎

2023年6月21日碳化硅陶瓷具有高温稳定性、耐腐蚀性和高强度等优异性能，常用于制造高温熔融、酸碱等恶劣环境下的零部件和结构件。其主要制作工艺包括以下几种： 1热压成型将预制的碳化硅陶瓷粉末在高温、高压的条件下进行热压成型，形成具有一定形状的陶瓷失效分析赵工半导体工程师 07:22 发表于河南 1、行业简介什么是第三代半导体？因半导体的材料使用不同，将分为一代，二代、三代。代主要是硅和锗等元素半导体为代表，第二代半导体材料是以砷化镓为代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的半导体材料。第三代半导体深度研究碳化硅知乎

中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总知乎

2023年5月8日碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。国内碳化硅产业起步较晚。衬底方面，科锐和II 2020年2月22日二、第三代半导体介绍 1、氮化镓氮化镓可以在1~110GHz 范围的高频波段应用，三大应用领域是LED（照明、显示）、射频通讯、高频功率器件。 LED应用方面，最近火的miniLED就用到了氮化镓，射频应用方面主要是基站PA，华为找三安集成代工的就第三代半导体材料的王者，氮化镓or碳化硅？知乎

太阳能电池片中的硅片是怎么制作的？知乎

2023年4月6日硅片其实就是太阳能电池片的原始模样，硅片的制造过程其实并不复杂，首先步制造硅锭，在这一步要用到坩埚，坩埚又叫矿热炉或电弧电炉，通常材质为石墨，直径为12米，中间还有两根三米长的石墨电极用来加热，石墨跟钻石是亲戚，是碳的一种同素异形体，同素异形体就是元素相同，但是 2021年12月24日高压SiC模块的驱动是应用中的一个难题，也许是因为三菱电机是功率半导体大厂，并没有自己开发驱动，而是有很多厂商专门为其开发驱动。其推荐的几款驱动器经过测试得到了认可，包括日本品牌IDC和田村、美国的PI（Power Integrations）和国产品牌青铜剑。 3 我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎

揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅

2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 2022年8月29日人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长关于碳化硅，把我知道的都告诉你新浪网

一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社

2022年12月1日碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火 2021年10月15日本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。根据Yole预测，20182024年，全球SiC功率器件市场规模将由420亿美元增本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！知乎专栏

[初探半导体产业]一文搞懂"衬底"“外延”的区别和联系知乎

2022年8月12日首先，先普及一个小概念：晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的 2023年8月19日外延技术的7大技能 1、可以在低（高）阻衬底上外延生长高（低）阻外延层。2、可以在P（N）型衬底上外延生长N（P）型外延层，直接形成PN结，不存在用扩散法在单晶基片上制作PN结时的补偿的问题。3、与掩膜技术结合，在指定的区域进行选择外延生长，为集成电路和结构特殊的器件的制作创造了为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

常压烧结碳化硅技术产业化青岛科技大学淄博研究院 QUST

2021年1月14日采用常压烧结碳化硅陶瓷材料密封环代替通用的机械密封、填料密封等动密封，因而泄漏更小、可靠性更高、使用寿命更长。主要用途有换热器薄壁管（上硅所易成）、微型反应器（道康宁公司）、各种防腐阀门、连接件、密封件等。标准是外径14毫 2022年8月11日碳化硅具有良好的化学稳定性，可以应用于各种腐蚀性强的酸碱性介质中，因此可用于腐蚀性介质的机械密封。腐蚀磨损是引起摩擦副材料失效的主要形式，热压烧结碳化硅在氧化气氛中表层生成一种保护性的二氧化硅膜，即使在900℃仍具有很好的化学稳定性，耐腐蚀性较强。碳化硅在机械密封中的应用知乎

【超详细的硅片制造流程视频】多晶硅堆叠、晶锭生长、晶锭

2022年9月28日专注观察全球半导体最新资讯、技术前沿、发展趋势。，相关视频：芯片制造全流程——6看完就懂！，解密一片晶圆切割的全流程，Cleaving a silicon wafer 硅晶圆的切割方法，看完就懂！硅晶圆生产全流程，动画科普：硅晶圆是如何产生的——硅 2022年8月8日该综述以薄膜制备到光子器件实现为主体全方面回顾了碳化硅单晶薄膜制备，及其在集成非光学、光量子学和应用物理学等领域中的发展历程和关键技术，并对其未来的发展方向以及技术挑战进行展望。光子集成电路（ Photonic Integrated Circuit, PIC ）由密碳化硅单晶薄膜制备技术及集成光子应用中国科学院上海分院

揭秘第三代半导体碳化硅，爆发增长的明日之星，国产

2020年9月21日原标题：揭秘第三代半导体碳化硅，爆发增长的明日之星，国产前途无量功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率（理想转化率100% 2020年1月15日碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点引言：碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，市场反应碳化硅元器件的效果非常好，但似乎对于碳化硅元碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点知乎

碳化硅简介知乎

2020年12月7日碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。该冶炼制得的SiC若不含有杂质，呈现无色透明晶体状 2019年9月2日碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于22eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。在半导体业内从材料端分为：代元素半导体大家都在关注的SiC是什么？碳化硅

肖特基和碳化硅二极管解析知乎

2021年2月1日理论上来说硅二极管，由于导通压降随温度上升而下降，所以是不适合并联的，但是现在很多二极管会把两个单管封装在一起，这样温升相对均匀，给并联带来好处。但是碳化硅是的压降是随温度上升而上升，理论上是适合并联的。以上就是肖特基和碳化硅 2019年4月25日做成列管是一种思路，但是要考虑到流速不能太低，否则管道内部有可能结垢结疤之类的。本系列其他内容链接如下，欢迎提问交流，交流情况会以问题集锦形式不定期发布。现在针对连续流反应器更新期间大家提出的问题，进行整理汇总并作解答。问化工过程强化系列5：问题解答——连续流反应器部分知乎

碳化硅二极管的发展历史和未来前景如何？知乎专栏

2022年2月16日碳化硅进程表 1905年次在陨石中发现碳化硅 1907年只碳化硅晶体发光二极管诞生 1955年理论和技能上重大打破，LELY提出成长高品质碳化概念，从此将SiC作为重要的电子资料 1958年在波士顿举行次世界碳化硅会议进行学术交流 1978年六、七十年代 2021年11月29日二是碳化硅功率器件在散热方面具有更高的要求。碳化硅器件可以工作在更高的温度下，在相同功率等级下，其功率模块较硅功率模块在体积上大幅降低，因此对散热的要求就更高。如果工作时的温度过高，不但会引起器件性能的下降，还会因为不同封装材碳化硅功率器件之五知乎

揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道芯片碳化硅

2021年7月4日 01碳化硅，第三代半导体材料第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。禁带宽度是判断一种半导体材料 2023年10月27日二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导海外企业由于占据先发优势，在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据，市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断，其中较大的碳化硅器件商为意法半导体，是特斯拉碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

四个问题带你对半导体碳化硅(SIC)有基本了解; 知乎

2023年12月3日不过今天，我们不聊氮化镓，今天的纳微小课堂我们用四个问题向大家展示另一位第三代半导体的强力选手——碳化硅。问：什么是碳化硅（SiC）？答：碳化硅（SiC）由硅（原子序数14）和碳（原子序数6），形成类似于金刚石的强共价键，是一种坚固的六方结构化合物，具有宽禁带半导体特性。2022年4月24日国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林分享摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线